氧化铟掺杂对ZnFe2O4半导体气敏性能的影响

摘要/Abstract

摘要： 用化学共沉淀法在ZnFe₂O₄中掺入In₂O₃.X射线衍射分析证实,In₂O₃与ZnFe₂O₃之间没有新相生成,晶格常数有微小变化。掺入In₂O₃降低了ZnFe₂O₄的电导,改变了该系列材料的导电机制,提高了材料对乙醇的敏感性和选择性,而且缩短了材料的响应时间.

关键词: ZnFe₂O₄, In₂O₃, 掺杂, 酒敏传感器

Abstract: In₂O₃ has been doped in ZnFe₂O₄ by a chemical coprecipitation method. XRD results showed that in doped system there is no new phase formed and only a little change in lattice constants. Doping of In₂O₃ decreased the conductivity of ZnFe₂O₄ sensor, changed its conduction mechanism and increased its response to C₂H5OH.

Key words: ZnFe₂O₄, In₂O₃, doping, ethanol sensor

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氧化铟掺杂对ZnFe₂O₄半导体气敏性能的影响

Effect of In₂O₃ Doping on the Gas Sensitivity of ZnFe₂O₄

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