图1 阻变式存储器薄膜（RRAM）器件的电传输机制和初始金属丝路径图，其中（A） RESET过程和（B） SET过程［18］Fig.?1　Conduction mechanisms and initial metallic filament path of resistive random access memory （RRAM） devices for （A） RESET process and （B） SET process［18］

图 2 氧空位导电丝机制示意图

Fig.2 Schematic illustration of oxygen vacancy conductive filament mechanism

图3 界面电子效应导电机制示意图

Fig.3 Schematic illustration of interfacial electron effect conduction mechanism

图4 EPIR测试曲线（A）EPIR值随不同刺激电压的变化曲线和（B）四线制模式下EPIR测量曲线［26］

Fig.4 EPIR measurement curves （A） and the variation of EPIR value with different stimulating voltages （B） under the 4-wire mode［26］

图5 （A） CeO x /TiN堆叠膜中Ce、Ti、O和N的深度分布［16］； （B） CeO x /TiN堆叠膜中O/Ce和Ti/N原子比［16］； （C） SDC∶SrTiO3 （STO）垂直异质结外延生长纳米复合材料（Vertical heteroepitaxial nanocomposite， VHN）器件测量配置示意图［31］； （D） SDC∶STO VHN器件无初始化过程的R-V迟滞回线［31］

Fig.5 （A） The depth profiles of Ce， Ti， O and N［16］； （B） The atomic ratios of O/Ce and Ti/N for CeO x /TiN stacked film［16］；（C） Schematic configuration of SDC∶SrTiO3 （STO） vertical heteroepitaxial nanocomposite（VHN） device［31］； （D） Electroforming-free R-V hysteresis loops in SDC∶STO VHN device［31］

图6 （A）在反复脉冲+10 V 10 ms后，保持长期记忆稳定性［32］；（B）在温度为300和380 K时，I-V曲线分别为0→+5→0 V 5次，0→-5→0 V 5次，最后0→+5→0 V 1次［33］；（C）Pt/CeO2/Pt基准器件在0→+5→0 V电压重复扫描5次和0→-5→0 V电压连续扫描5次时的I-V曲线［34］； （D）Pt/ITO/CeO2/Pt在10次重复电压下的I-V曲线［34］

Fig.6 （A） Retention for long-term memory stability after repeated pulsing +10 V for 10 ms［32］； （B） I-V curves as repeating voltage sweep of 0→+5→0 V five times first， and 0→-5→0 V five times second， and then finally 0→+5→0 V once at the temperature of 300 and 380 K［33］； I-V curves of （C） Pt/CeO2/Pt reference device during five repeated voltage sweeps of 0→+5→0 V and five successive sweeps of 0→-?5→0 V and （D） Pt/ITO/CeO2/Pt during ten repeated voltage sweeps of 0→+8→0 V and ten successive sweeps of 0→-4→0 V［34］

图7 氧化钕薄膜在（A） 40%和（B） 60%（体积分数）氧浓度参数下的双极开关曲线［18］； XPS（C） Nd3d轨道和（D） O1s轨道［38］

Fig.7 Bipolar switching curves of the neodymium oxide thin films for （A） 40% and （B） 60% （volume fraction） oxygen concentration parameters［18］； XPS （C） Nd3d states and （D） O1s states［38］

图8 （A） Pt/SGO/Pt ReRAM设备在不同ICC下超过120个周期的续航能力； （B）器件不同电阻状态下的保持特性［40］

Fig.8 （A） The endurance of the Pt/SGO/Pt ReRAM device over 120 cycles with different ICC； （B） The retention characteristic of different resistance states for the device［40］

图9 （A） STP相对于时间的弛豫过程， 这类似于人类记忆的“遗忘过程”，插图显示突触的示意图［41］； （B） YDH薄膜的O1s、 Y3p和Hf4d XPS谱［42］； （C）制备的柔性ITO/Y2O3/Ag RRAM器件的光学图像， 插图显示了制造器件的结构示意图［43］； （D）对数尺度中具有代表性的I-V曲线， 插图显示线性比例的I-V曲线［43］

Fig.9 （A） The relaxation process of STP with respect to time and this is analogous to human-memory “forgetting process”， inset shows a schematic illustration of synapses［41］； （B） Normalized O1s， Y3p and Hf4d XPS spectra for the YDH thin film［42］； （C） Optical image of a fabricated flexible ITO/Y2O3/Ag RRAM device， inset shows a schematic of the fabricated devices［43］； （D） Representative I-V curve in the log scale， inset shows an I-V curve in the linear scale［43］

图10 （A）不同电压和电流条件下后退火器件的I-V曲线［48］； （B） Tm2O3、Yb2O3和Lu2O3薄膜制备Ru/RE2O3/TaN RRAM器件的电阻转换行为的I-V曲线［49］

Fig.10 （A） I-V hysteresis loops of post-annealed devices for difference voltage and current conditions［48］； （B） I-V curves of resistive switching behavior in the Ru/RE2O3/TaN RRAM devices using Tm2O3，Yb2O3 and Lu2O3 thin films［49］