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电化学还原二氧化碳合成碳材料电催化还原氧气合成过氧化氢
喻奥, 马国铭, 朱龙涛, 彭平, 李芳芳
应用化学    2022, 39 (4): 657-665.   DOI:10.19894/j.issn.1000-0518.210320
摘要   (621 HTML59 PDF (3232KB)(834)  

研究了3种不同阳极(铜丝,镀锌铁丝和镍丝)材料对在熔盐中电化学还原CO2制备的碳材料结构和形貌的影响,并探究了制备的3种碳材料,中空四面体碳(HQC,Cu作为阳极时的还原产物)、碳纳米片(CNS,Fe作为阳极时的还原产物)和海绵状多孔碳(SPC,Ni作为阳极时的还原产物),对2电子氧还原反应(2e- ORR)的电催化性能。研究表明,使用镀锌铁丝作为阳极材料制备的CNS由大量的碳纳米片构成,且该纳米片上具有丰富的孔洞结构以及较大的ID/IG(Raman光谱中D峰与G峰的强度之比,其比值反映材料的缺陷程度)值(0.996)。与HQC和SPC相比,CNS表现出最高的2e- ORR电催化活性和H2O2选择性(接近90%)。CNS的高活性和高选择性归因于其高的ID/IG值和高C—O/CO比值,说明结构缺陷和C—O/CO官能团对CNS催化性能至关重要。此外,CNS还具有非常优异的电催化稳定性,在长达14 h的恒电压电化学催化测试后,环电流几乎无衰减。这种以CO2为碳源合成可用于电催化合成过氧化氢(H2O2)的碳材料的方法,不仅可以作为缓解温室效应的潜在选项,也为CO2衍生碳的实际应用提供了新的思路。

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图3 (A)HQC(a)、CNS(b)和SPC(c)的XRD图谱;(B)归一化的Raman光谱
正文中引用本图/表的段落
在熔盐中,通过电化学还原CO 2,已成功合成各种纳米碳材料[19]。在电解过程中,碳酸锂(Li 2CO 3)在阴极和阳极分别分解为产生固态碳(C)和氧气(O 2)(Li 2CO 3→Li 2O+C+O 2)。在Li 2CO 3分解过程中产生的Li 2O直接吸收周围的CO 2形成新的Li 2CO 3(Li 2O (dissolved)+CO 2→Li 2CO 3(molten)),这一过程表明整个熔盐电解过程只涉及到CO 2的分解(CO 2→C (cathode)+O 2(anode))[20]。辅助材料图S2A为整个电解过程中采用0.5 A电流进行4 h电解时的电压-时间图像。如辅助材料图S2B所示,通过称量电解产物的质量,计算得到使用Cu、Fe、Ni作为阳极电解时的电流效率分别为93.9%、85.1%和74.9%。图1中形象地展示了采用不同电极作为阳极时,所制备阴极产物的显微形貌结构。很显然,使用Cu作为阳极电解获得的碳材料是由类似于四边形的碳纳米片堆垛而成(图1A);从辅助材料图S3中可以进一步发现该四边形碳是由超薄的纳米片构成,且四边形碳呈现出中空的结构,该材料命名为HQC(Hollow Quadrilateral Carbon)。使用Fe作为阳极电解获得的碳材料是由大量分散的碳纳米片构成(图1B),该材料命名为CNS(Carbon Nano-Sheets)。如图2所示,CNS中的碳纳米片上富含丰富的孔洞,且纳米片上未呈现出大量的碳晶格条纹,这说明CNS具有非晶结构和较多的碳缺陷。这种缺陷的存在能够作为催化剂的活性位点[21]。与HQC纳米片表面(见辅助材料图S3C - 3F)相比,CNS碳纳米片表面明更加粗糙。从图2H中还可知,CNS纳米片上含有丰富的氧元素,且氧元素在CNS纳米片上均匀分布,这种均匀分布的氧元素也是一种有效的氧还原过程的催化活性位点[12]。最后,对使用Ni作为阳极电解获得的碳材料的微结构也进行了SEM和TEM的分析表征,见图1C和辅助材料图S4,该材料呈现出海绵状的多孔结构,命名为Sponge Porous Carbon(SPC)。
XRD进一步了分析HQC、CNS和SPC的结构特点。由图3A可知,HQC、CNS和SPC 3个样品在2 θ角度为26和44.3(°)两处出现了明显的碳(002)和(101)晶面的衍射峰,说明3种材料主要是以碳为基础的材料[22]。图3A中,在2 θ角度为43.3、50.4和74.1(°) 3处的峰归因于单质铜的(111)、(200)和(220)3个晶面的衍射峰(PDF#04-0836)。单质铜衍射峰的出现是因为使用铜丝作为阳极电解的过程中,阳极的铜在高电势下被氧化进入到电解质中,随后与碳一起在阴极沉积;最后,在使用盐酸的洗涤过程中,单质铜无法溶于盐酸中导致其保留在HQC产物中。相比而言,CNS和SPC样品中的Fe和Ni金属可以溶解于盐酸中,所以在XRD测试中未检测到对应的金属的衍射峰。
Raman(拉曼光谱)被用来进一步分析合成样品的石墨化/缺陷程度。在Raman光谱中,位于1358 cm-1处的D峰是由于碳材料中表面缺陷(如,无序分布的边缘晶面)的存在引起的。位于1585 cm-1处的G峰则由位于石墨层面内的 sp2杂化的碳原子引起的(图3B)。D峰和G峰的的强度之比, I D/ I G,可以用来衡量碳材料的石墨化/缺陷程度。如图3B所示,HQC、CNS和SPC 3个样品在1358和1585 cm-1处均显示出了明显的D峰和G峰,对应的 I D/ I G值分别为0.962、0.996和0.958。这种不同的 I D/ I G值说明使用不同的金属作为阳极时,电解制备的碳材料具有不同的石墨化程度。与HQC和SPC相比,CNS具有最大的 I D/ I G值,表明该样品中含有最多的缺陷,碳材料的缺陷也可以作为2电子氧还原催化的活性中心[10,23]。
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