电沉积AuInSe2半导体薄膜上的电化学振荡现象

摘要/Abstract

摘要： 研究了电沉积制得的AuInSe₂半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为,对影响该振荡行为的一些因素如半导体薄膜的后处理、溶液组成、传质、光照、化学浸渍作用等进行了分析,同时采用外界周期性光照和外接小幅度正弦波电位来调节振荡频率,为金铟硒半导体薄膜发展成为光电传感器件提供了一定的理论与实践基础。

关键词: AuInSe₂半导体, 电化学振荡, 过氧化氢, 阴极还原

Abstract: Some factors affecting the oscillation behavior such as aftertreatment of the AuInSe₂ semiconductor film, stirring condition, light and chemical impregnation of the film have been investigated. It is found that the oscillation frequency on the film can be controlled by periodic light illumination and potential modulation.

Key words: AuInSe₂ semiconductor, electrochemical oscillation, hydrogen peroxide, cathodic reduction

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电沉积AuInSe₂半导体薄膜上的电化学振荡现象

Oscillating Behaviour on Electrodeposited AuInSe₂ Thin Films During H₂O₂ Cathodic Reduction

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