摘要: 用X射线衍射法确定了DyP和YbP的晶体结构,研究了它们的吸收光谱.得出其禁带宽度分别为1.15eV和1.30eV,电阻率为~10-2Ω-cm,载流子浓度约1018~1019cm-3,霍尔迁移率8.5-80cm2/V·s.它们与P型Si有明显的整流效应,表明形成了DyP/Si和YbP/Si异质结.文中提出了它们的可能能带图,解释了它们的光学性质和电学性质.
任玉芳, 孟建. 磷化镝与磷化镱的光学性质和电学性质[J]. 应用化学, 1988, 0(3): 39-42.
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