摘要：
通过Heck偶合法合成了四种新型p-/n-交替3-烷基噻吩共聚物：聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-1,3,4-噁二唑) (P3HT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-1,3,4-噁二唑) (P3OT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-吡啶) (P3HT-Py)、聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-吡啶) (P3OT-Py)。利用NMR、GPC等方法对结构进行了分析表征。采用循环伏安法、紫外－可见吸收光谱法对该系列共聚物的光电性能进行了研究，结果表明：随着噻吩环3位取代烷基碳链的增长，聚合物电离能（Ip）减小，带隙能（Eg）也随之变窄，其中，P3OT-OXD的Eg比P3HT-OXD小0.11ev，P3OT-Py的Eg比P3HT-Py小0.19eV；而在3-烷基噻吩聚合物主链上引入吸电子能力较强的噁二唑单元，可有效提高共聚物电子亲合能（Ea），对提高电子传输能力，改善电子与空穴注入平衡有积极作用
