摘要: 使用光电化学与电化学石英晶体微天平联用(PECQCM)技术对中性介质铜缓蚀剂成膜过程进行了现场研究.结果表明,在中性Na2SO4溶液中钝化型缓蚀剂Na2OrO4对Cu成膜生长有抛物线规律,而由于Cl-的影响,在中性NaCl溶液中,该缓蚀剂膜生长曲线为折线型.沉淀型缓蚀剂Na2SiO3在Na2SO4溶液中的铜晶振电极上不成膜,而在NaCl溶液中可成膜.
甘复兴, 戴忠旭, 汪的华, 姚禄安. 中性介质中铜缓蚀剂的成膜过程[J]. 应用化学, 1998, 0(4): 45-48.
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