应用化学 ›› 1987, Vol. 0 ›› Issue (4): 21-25.
郑衍生, 张大雷
Zheng Yansheng, Zhang Dalei
摘要: 本文研究了标准石墨管、涂钨和涂锆石墨管中锗原子吸光度,吸收信号形状和原子消失速度的变化。实验表明,在涂钨和涂锆石墨管中锗的分析灵敏度有较大的提高。同时实验测得在涂钨石墨管中锗的出现温度为1770K。按公式ΔH°=γTapp求得锗的ΔH°=106.2kcal/mol。它与锗的升华热89.5kcal/mol相近。因此,在涂钨石墨管中锗原子的形成是GeO2被碳化钨还原成金属锗,随后锗的升华。