应用化学 ›› 1987, Vol. 0 ›› Issue (4): 84-85.

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氧化物气敏半导体与H2O(g)、O2(g)及还原性气体相互作用的研究

张智   

  1. 中国科学院长春应用化学研究所
  • 出版日期:1987-08-10 发布日期:1987-08-10

  • Published:1987-08-10 Online:1987-08-10

摘要:

本文系统地研究了SnO2系和γ-Fe2O3元件在变温过程中与H2O(g)、O2(g)和还原性气体相互作用的规律。结果表明:Al2O3、MgO、Pd、Pt和Sb2O3均对元件的体电阻均有调制作用。Al2O3是以微粒状存在于元件内,它为元件提供了活化中心,提高了元件的灵敏度。而γ-Fe2O3具有超微细结构。