摘要: 实验证明快速沉积Cr的功函数比缓慢沉积Cr的功函数低,平均值为3.99eV,这样低的功函数可以控制开路电压在0.51—0.56V,用快速沉积方法可降低Cr的方块电阻,因此省去为了降低Cr的方块电阻的Cu层,以及为了防止Cu层氧化的Cr层,简化了工艺。快速沉积Cr的制备的无Cu层Cr-MIS太阳电池在AM1.5(100mW/cm2)下转换效率达到12%(按有效面积计)。
李文范, 刘秀英. Cr的沉积速度对Cr-MIS太阳电池性能的影响[J]. 应用化学, 1986, 0(2): 48-52.
Li Wenfan, Liu Xiuying. THE EFFECT OF CHROMIUM DEPOSITION RATE ON THE BEHAVIOUR OF Cr-MIS SOLAR CELL[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1986, 0(2): 48-52.